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Corona-Kelvin 计量学已成功应用于外延 GaN、SiC 和异质外延 AlGaN/GaN 的高精度非接触式电气表征，而无需制造测试结或肖特基二极管。 使用恒定表面电势电荷沉积方法，对于 ND=2.9e17cm-3 的 n 型 GaN 和 ND=9.0e15cm-3 的 n 型 SiC，证明了具有 0.05% STDEV 的优异掺杂重复性和 0.1% STDEV。 对于 AlGaN/GaN，结果表明电晕-开尔文 2DEG 分析与标准汞探针 CV (MCV) 测量具有良好的相关性。 然而，新颖的基于电荷的技术展示了使用“充电到耗尽”对 2DEG 片电荷的独特量化。 氧化 GaN 的结果展示了包括 Dit 光谱在内的界面表征。