非接触式在线监测低剂量和低能量离子注入

与超大规模和千兆级集成相关的周期时间和成本需求推动了所有处理领域对具有成本效益、快速且准确的在线表征技术的需求。 这里介绍的工作讨论了新一代非接触式工具的功能，包括低剂量（<1.0E12 cm/sup -2/）和低能量（<10 keV）注入监测。 在这些条件下，传统的 Thermawave 和薄层电阻技术不够灵敏，无法可靠地用于种植体监测。 特别是，进行了 Quantox 表面光电压 (SPV)、SDI-近表面掺杂 (NSD) 和载流子照明 (CI) 测量。 低剂量(＜1E12 cm/sup -2/)研究集中于用于定义CMOS器件的阈值电压的硼注入。 能量范围为 1 至 13 keV 的硼植入物也用于研究该技术监测低能量性能的能力。 由于测量是非破坏性的，并且可以在图案化晶圆上进行，因此这些技术有可能用于在线注入监测。