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在这项工作中，我们使用改进的非接触式电晕开尔文技术对 SiC 介电界面进行了新颖的光辅助表征。 该技术消除了与电气测试结构制造相关的成本和时间。 深度耗尽中的紫外照明用于生成少数载流子，其清空深层界面态的速度太慢而无法通过热发射清空。 照射后，通过时间分辨电压衰减来测量界面态充电电流。 这使得能够对涉及慢界面态的空穴发射和电子捕获过程进行新颖的非接触电晕-开尔文表征。 这种新颖的应用补充了介电、界面和半导体参数的标准电晕-开尔文测量。