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非视觉缺陷 (NVD) 是一类半导体材料和工艺引起的缺陷，会导致电气故障，但无法用视觉晶圆检测工具检测到。 本文概述了我们的非接触式电气 NVD 计量技术，该计量技术使用带有标准毫米分辨率开尔文探针表面电压映射的快速全晶圆检测。 在先进的方法中，使用力开尔文探针显微镜以高分辨率（μm 范围）绘制检测到的 NVD。 通过电晕-开尔文方法进行深入的 NVD 表征，该方法可量化缺陷部位的介电和界面特性。 该表征是在电晕充电的非侵入性注量范围内进行的，并且所有测量都是非接触式的，并且不需要制造测试设备。 通过与硅 IC、硅光伏和宽带隙外延 SiC 相关的示例展示了广泛的应用范围。