监测发射器场效应钝化的新型非接触式方法

我们报告了一种全面的非接触式测量 p 型和 n 型基极硅太阳能电池发射极场效应钝化的方法。 电晕充电电压技术广泛用于硅 IC 生产线，以自动化顺序使用，并具有两个互补测量，可监测发射极中电荷引起的复合变化。 准稳态微波光电导衰减 QSS-μPCD 测量衰减寿命 τeff、注入水平 Δn 和发射极饱和电流 J0。 紫外和蓝色交流表面光电压 (UV-SPV) 提供了类似于短波长量子效率的钝化指示剂。 给出了对称 n + 和 p + 发射极测试晶圆的 τeff、Seff、J0 和 UV-SPV 场效应特性，量化了电荷、极性以及 n + 和 p + 发射极之间差异的影响。 新发现包括场效应磁滞和充电引起的发射极退化现象，类似于 MOS 器件中的应力引起的退化。