标准 C-V 中不可见的深陷阱宽带隙界面的光辅助电晕电荷表征

宽带隙半导体技术因其在高功率电子领域的基本优势而受到广泛关注。 对界面性质的理解和有效控制属于一组需要取得进展的关键问题。 在这项工作中，我们报告了宽带隙界面表征方面的进展，该进展是在深度耗尽中的电晕电荷偏压产生的非平衡条件下利用深陷阱的光电离来实现的。 这种表征能力在氧化 n 型外延 SiC 上得到了证明，其深界面陷阱在标准 C-V 中不可见。 这些陷阱最初以高密度存在，但在湿退火后减少了一半。 光电离技术被纳入市售的非接触式 C-V (CnCV) 计量中 [1,2]，提供一种非侵入式、节省成本和时间的计量，有利于开发研究和设备制造。