非接触表征 SiGe 的光电方法

发布到: Fifth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures ICSI-5)

年: 2008

作者: E. Tsidilkovski, K. Steeples

SurfacephotovoltageElectronic propertiesStrainMulti-layer structureSemiconductorsCharacterisation

一种新的无损测量方法，用于表征 Si_{1 −}_xGe_x 基多层结构，包括 SiGe 外延层和相邻的应变硅外延层已开发出来。该方法基于小信号表面光电压技术，可以测量顶部外延层的锗浓度和厚度。开发了新的物理模型和测量算法。给出了一组具有不同锗浓度和硅层厚度值的 SiGe 样品的测量结果。计算了混晶特征参数——能隙对Ge含量的依赖性系数。

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