用于硅器件内嵌埋缺陷检测的光致发光

在这项工作中，介绍了一种新颖的基于成像光致发光的计量方法，该方法有望应用于半导体制造过程中硅器件中埋藏缺陷的检测。 理论和实践方面都进行了讨论。 实现了一种新的计量工具，并通过现实半导体样品进行了彻底测试，以揭示所建议方法的功能。 根据结果​​，可以通过光学方法检测小至亚微米尺寸范围的缺陷，并通过截面透射电子显微镜图像证实。