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我们提出了一种与传统微波光导衰减 (MW-PCD) 测量相结合的在线光致发光成像的新实现。 同步 MW-PCD 寿命测量可以作为光致发光成像测量的原位校准，将 CCD 或 CMOS 相机捕获的 PL 图像转换为高分辨率载流子寿命图。 目前的工作重点是 PLI 方法在切割多晶硅片检测中的应用。 切割晶圆表面状况的变化（尤其是锯切损坏区域的特性）可能会导致不受控制的 PL 信号电平，这取决于损坏区域的实际特性，而不是块体的电气质量。 蚀刻掉顶层可能会使 PL 信号增加 2-3 倍。 我们表明，尽管损伤区域影响 MW-PCD 瞬变的幅度，但根据衰减曲线评估的寿命与表面损伤区域的特性无关。 因此，利用MW-PCD在实际切割晶圆上测量的寿命值作为PL图像校准的参考，所得的PLI寿命图与表面损伤层无关。