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使用开尔文探针测量对压电极化脉冲的表面电压响应，为研究极化诱导片状电荷和 2DEG 的动力学提供了独特的方法。 结合电晕沉积电荷从积累到深度耗尽的表面偏置以及相应的非接触 C-V 型表征，该技术将表面能带弯曲和界面陷阱确定为影响压电极化幅度和时间衰减的关键因素。 对于 2DEG 结构，当 2DEG 完全填充时，可以观察到表面电势钉扎。 通过负电晕充电来完全耗尽 2DEG 来释放钉扎。 这些结果与表面态的作用一致。 目前演示的偏振调制和晶圆级测量将影响 AlGaN/GaN 2DEG 结构的深入表征和基本理解。