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我们首次成功地将电晕充电非接触式 C-V 和 I-V 计量技术应用于高 k/III-V 结构的界面和介电表征。 该计量方法在 Si IC 制造中常用，在电介质表面使用增量电晕电荷剂量 ΔQC，并使用开尔文探针测量表面电压响应 ΔVS。 其在具有高 k 堆叠的 In0.53Ga0.47As 中的应用需要与电介质陷阱感应电压瞬变效应相关的修改。 开发的电晕电荷开尔文探针计量采用严格的差分测量，使用 ΔQC 和 ΔV 以及相应的差分电容，而不是基于总全局电荷 Q 和电压 V 值的测量。
提供了包含 In0.53 Ga0.47 As 通道覆盖的样品的电气特性数据，包括界面陷阱密度、电氧化物厚度和介电泄漏。 双层（2nm Al2O3/5nm HfO2）电介质堆叠被认为在具有高迁移率通道的高性能 NFET 中的应用非常有前景。