使用弹性金属门（EM-gate）对超浅通道植入物进行产品晶圆监控

深亚微米金属氧化物半导体 (MOS) 场效应晶体管 (MOSFET) 最关键的参数是阈值电压 (VT)。 设备VT高度依赖于处理； 具体来说，是离子注入的沟道掺杂分布。 监测产品晶圆上的沟道掺杂是非常必要的，也是工艺工程师面临的一个主要问题。 描述了一种基于无污染、无损坏、小直径金属接触的技术，用于对产品晶圆上的沟道载流子密度分布、剂量和 VT 进行高灵敏度和精确测量。