SiC、GaN 和 AlGaN/GaN HEMT 电荷和光辅助非接触电学表征的最新进展

基于电荷的电晕-开尔文非接触计量最初是为 Si IC 制造而开发的，最近已扩展到宽能隙半导体。 我们讨论了这种扩展的原理和关键应用，即：SiC 和 GaN 上的高精度掺杂剂测量； AlGaN/GaN HEMT 结构中的二维电子气表征； SiO₂、SiN 和 Al₂O₃ 外延层的界面和介电特性； 氧化SiC的综合界面不稳定性表征； 以及使用电荷辅助表面电压技术进行缺陷的全晶圆图绘制。 这组强大的测量是在不制造任何测试结构或电接触的情况下执行的。 目前正在推出相应的商业工具。 基于硅 IC 的历史案例，我们相信这种方法将为研究和制造过程控制提供增强的测试，同时降低成本和快速数据反馈，从而有利于宽带隙器件技术。