用于多结太阳能电池的 n 型和 p 型掺杂 GaInP、AlInP 和 AlGaInP 的折射率和消光系数

p 型、n 型和名义上未掺杂 (Al_xGa_1−x)_yIn_1−yP 层的光学特性已在广泛光谱范围。 所研究的层的成分和掺杂剂浓度使其在 III-V 多结太阳能电池中的应用很有趣。 这些层已通过可变角度光谱椭圆光度法进行测量，并且无论成分和掺杂如何，它们的光学响应均使用由两个不对称组成的相同模型介电函数进行建模 Tauc-Lorentz 振荡器和 3D-M₀ Adachi 项。 结果表明，跃迁能量值随层组成的变化而变化，而对于相同材料的层（即GaInP或AlInP），带隙跃迁能量E₀显示出对有序参数的强烈依赖性。 从椭偏数据推导出来的折射率和消光系数已用于拟合对同一层进行反射率测量，并取得了良好的一致性，从而验证了针对此类材料提出的介电函数模型。