栅氧化层等离子损伤的良率与可靠性影响之间的关系

我们报告了天线测试仪测得的栅极氧化层损坏与生产芯片的良率损失和可靠性下降之间的直接相关性。 探讨了产量损失的大小与可靠性失效之间的关系。 我们通过建模和实验验证证明，等离子体充电损坏通常会导致良率损失和长期可靠性下降，但对短期可靠性影响很小。

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