联系我们获取详情与报价
获取专家建议，为您研发需求量身定制解决方案
我们提出了一种非接触式电掺杂分析的自校准版本，它是基于对深度耗尽崩溃期间两个电压衰减的监测的方法的改进。 经过适当校准的小信号交流光电压可测量耗尽电容 CD，而相应的耗尽层电压 V 可使用振动开尔文探针获得。 深度耗尽是由放置在晶圆表面的电晕电荷脉冲产生的。 掺杂深度分布是根据两次电压衰减获得的 C-V 数据集计算得出的。 引入原位自校准是为了在每次测量中获得与交流光电压和耗尽电容相关的常数。 该常数取决于晶片表面的状况，因此不具有普遍性。 自校准是通过电晕充电至雪崩击穿极限并利用击穿电压与掺杂剂浓度的关系来实现的。 使用外延硅片说明了该方法的应用。