用于硅太阳能电池应用的简单且多功能的紫外线臭氧氧化物

半导体表面清洁有时被认为成本高昂，但长期以来被认为是决定最终半导体器件性能和产量的关键。 在这篇文章中，我们研究了通过简单的紫外线臭氧工艺进行晶体硅表面清洁的有效性，并与硅光伏应用的行业标准RCA清洁进行比较。 我们提出了一种通过紫外线臭氧清洁有效处理硅表面的独特方法。 尽管很简单，但紫外线臭氧清洁可实现卓越的表面钝化质量，可与高质量 RCA 清洁相媲美。 当用作堆叠电介质时，紫外线臭氧氧化物被氧化铝覆盖——紫外线臭氧氧化物的厚度在确定钝化质量。 在所有处理时间中，15 分钟的紫外线臭氧处理可实现出色的钝化质量，实现 3ms 的有效载流子寿命和 5fA/cm²的饱和电流密度。 此外，我们提出了一种简单有效的技术来提取电子/空穴捕获截面的值，以便从已测量的饱和电流密度、界面陷阱密度和总固定电荷的表面复合参数中分析界面钝化质量，而不是通过以下技术对单独制备的金属绝缘半导体（MIS）样品进行测量： 频率相关的并行电导或深能级瞬态光谱。