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用于监测硅中近表面掺杂 (NSD) 的小信号非接触式 ac-SPV 方法最近已被引入商业诊断工具中。 具有亚微米穿透深度的高斩波频率光用于产生小的 SPV 信号，并且该信号又使用透明拾取电极进行监测。 该技术的优点是可以进行快速、无损的全晶圆测量。 在某些条件下，该 ac-SPV 信号的幅度与耗尽层电容成反比。 如果耗尽层势垒高度已知，则可以计算耗尽层中电离施主或受主的浓度。 通过 ac-SPV 方法进行 NSD 测量通常针对高达约 1016 cm−3 的掺杂浓度。 直到最近，这个范围才扩展到 1018 cm−3，使其成为监测低剂量和中剂量注入的非常有吸引力的技术，特别是对于注入均匀性和激活效率的晶圆尺度映射。 此外，SPV 信号的频率依赖性为评估块体和外延晶圆近表面区域的少数载流子寿命提供了一种方法。