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众所周知，在湿法蚀刻、反应离子蚀刻、金属接触溅射沉积和氩离子束蚀刻等加工步骤之后，氢气会导致硼受体钝化。 先前对这种效应的研究采用了 CV 分析、扩散电阻分析和 SIMS 测量，对氘扩散的样品进行测量。 这些方法要么破坏硅表面，要么需要沉积金属接触。 在本研究中，我们使用了非接触式小信号交流表面光电压技术，目前可在商业诊断工具中使用。 同时测量半导体表面势垒 Vsb 和表面耗尽层电容 CD，可得出距 Si 表面或 Si/SiO2 界面亚微米距离内硼受主的浓度。 事实证明，该技术在监测低剂量注入以及氧化晶圆的近表面掺杂方面非常成功。 在裸硅片中，该方法有时表明表面硼浓度明显低于本体值。 我们在用于制备氢封端表面的化学清洗后的晶片中发现了这种行为。 150°C 至 200°C 温度下的热退火可重新激活硼掺杂剂。 我们将讨论各种清洁和退火条件对近表面区域硼受体钝化和再激活的影响。 通过非接触式 SPV 技术获得的结果与之前的研究非常吻合。 它们还为可靠测量硼浓度提供了基础，不受氢钝化的干扰。