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经 Al2Ox/SiN+ 硼发射极的极低发射极饱和电流密度 (J0e) 值分别为 6 和 45 fA/cm2 id="">x 堆栈在工业等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 反应器中沉积。 Al2Ox 薄膜的热活化是在标准工业快速烧成炉中进行的，使得所开发的钝化叠层在工业上可行。 对于纹理 p+ 发射器，J0e 值比平面发射器高 1.5 - 2 倍。 这种出色的表面钝化归功于 -(3-6)×1012 cm-2 的高负电荷密度以及 ℒ1011 eV-1cm-2 的低界面缺陷密度。 假设短路电流密度为 40 mA/cm2 和理想二极管定律，80 Ω/sq 发射极的 J0e 结果表示 25°C 时 1-sun 开路电压限制为 736 mV。