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空气中电晕充电与使用接触电位差探头的非接触式氧化物电荷测量相结合，为快速监测电子隧道特性提供了独特的可能性，而无需准备 MOS 电容器。 还发现，隧道范围内的薄氧化物的电晕充电对于产生应力引起的漏电流非常有效。 在这项工作中，我们证明了电晕应力引起的漏电流大小对栅极氧化物完整性缺陷密度的敏感性。 实验结果涵盖了三种最常见的栅氧化层完整性缺陷，即：1-重金属（Fe.Cu）在1×1010至1×1011原子/cm3的实际重要低浓度范围内引起的缺陷：2-源自界面粗糙度的缺陷和3-与晶体起源颗粒相关的缺陷。