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随着行业进入 65 纳米和 45 纳米设备的新技术节点，植入监控器对于保持设备性能的一致性变得更加重要。 常见的做法是使用具有薄层电阻的 4 点探针和热波技术来处理植入物损坏。 然而，这两种技术都对灵敏度有限制。 由于需要监测离子注入过程中较小的变化，因此需要一种新的、更好的注入监测方法。
