通过锡注入实现表面应变 Ge-Cz 晶圆，实现高电子和空穴迁移率

Si 晶圆上的 Ge-epi 包含 >1E7/cm2 TDD，这会降低结泄漏并可能还会降低迁移率。 因此，我们研究了使用 Ge-Cz 晶圆作为不含 Ge-epi TDD 的替代方案，并观察到高达 16% 的表面 Sn 注入可引起 XRD 测量的表面拉伸应变 Ge，将顶部 30nm n 阱表面层迁移率 (μe) 提高 2.5 倍，从 500cm²/Vs 提高到 1250cm²/Vs，但表面拉伸 应变-Ge 将顶部 30nm p 阱表面层迁移率 (μh) 降低了 73%，从 3000cm²/Vs 降低到 800cm²/Vs，表面体迁移率降低了 74%，从 1850cm²/Vs 降低到 480cm²/Vs。