外延 SiC 缺陷的表面电压和 μPCD 映射

外延 SiC 上的开尔文探针表面电压映射 (SVM)，通过电晕充电进入深度耗尽状态，揭示了 SV 缺陷，表现为表面电压降低的斑点。 对于 150μm 厚的外延层，SV 缺陷与微波检测光电导衰减 μPCD 揭示的低载流子寿命点一致。 在光致发光图像中，这些缺陷被视为三角形黑点，在文献中被描述为与堆垛层错相关的三角形缺陷。 对于薄外延层 (2.2μm)，缺陷仅在 SVM 中可见。 在这种情况下，使用开尔文力显微镜执行的高分辨率 SVM 识别出三角形缺陷形状。 提出了两种机制来解决 SV 缺陷。 对于表现出大幅度快速下降电压的高强度缺陷，可能的机制是与缺陷相关的泄漏； 引起电晕表面离子的中和。 低强度缺陷可以通过考虑深能级发射来解释。 后一种机制已使用类似于等温 DLTS 和拉普拉斯 DLTS 的 SV 瞬态和谱分析进行了研究。