使用空间原子层沉积沉积热稳定氧化钼空穴选择性接触

亚化学计量的 MoO_x 已被确定为 c-Si 太阳能电池空穴选择性接触中 p 型 a-Si:H 的可行替代品。 许多研究小组观察到，由于 MoO_x 中添加了 O 空位，因此在标准接触形成退火过程中，MoO_x 基接触的电性能有明显下降的趋势。 这些 O 空位会在带隙内产生缺陷能级，并降低 MoO_x 的功函数，进而影响通过接触的空穴传导效率。 在本文中，我们通过紫外臭氧处理在 p 型 c-Si 上生长了薄的隧道 SiO_x 层，然后使用空间原子层沉积沉积了薄的（~5 nm）MoO_x 层。 我们证明，使用高功函数 (5.01 eV) 镍作为铝触点的替代品，不仅有助于高效的空穴传输，而且可以在高达 300°C 的温度下形成热稳定触点，且触点电阻率低于 10 mΩ-cm²。