超低能量 (ULE) 植入剂量和激活监测

本文介绍了新开发的技术，可在不受探针穿透影响的情况下精确测量 4pp 方块电阻。 此外，还可以使用单个非穿透性、非破坏性和非污染性的电磁探针直接测量电活性表面掺杂剂密度 (NSURF)。 有两种类型的 EM 探头可用； 一种用于电容-电压 (CV) 应用，另一种用于电流-电压 (IV) 应用。 结果发现，EM 探针 4pp 可以测量源漏扩展 (SDE) 结构和 p/n 超浅结 (USJ) 结构。 发现传统的 4pp 仅限于约 30 至 40 nm 及更深。 剂量和薄层电阻的变化揭示了有关离子注入和退火过程的有价值的信息，这似乎是一个强大的表征工具。