硅光伏的统一寿命计量和光致发光成像

我们最近推出了一种改进的 QSS-μPCD 寿命测量方法，具有严格的衰变质量控制技术。 这使得能够在广泛的稳态注入范围（高达约 30suns）内统一、无参数地确定衰变寿命和稳态寿命。 发现与 Sinton QSSPC 测量具有极好的相关性。 空间分辨μPCD 的优势被应用于晶圆测绘。 发射极饱和电流，J0，使用 Basore-Hansen 程序直接从小扰动衰减寿命中获得映射。 这些图揭示了常见的钝化缺陷，表现为高 J0 区域。在这项工作中，我们报告了该方法的进一步改进，特别是在速度和分辨率方面。 我们的研究涉及按顺序对钝化测试晶圆进行光致发光测量，并使用 QSS-μPCD 统一寿命测量（包括 J0）。 在选定的地点，J0 的值有意随电晕电荷感应场效应而变化。 这使得能够对 J0 和其他重组参数进行独特的 PL 校准。 定量特征使我们能够比较确定 J0 的 PL 程序，并选择一个实用的 J0 成像版本，该版本使用从生成速率 G 与 PL 强度的比率直接确定 J0。 我们发现这个 J0 过程与常用的 Kane-Swanson 方法有很好的相关性。 此外，它还具有仅需要单个 PL 图像的实际优势，具有简单的校准和对注射范围限制的宽松要求。