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为了使硅晶圆正常工作，它们需要近乎完美。 即使完成了包含约 400-600 个步骤、需要 2-3 个月且成本数百万美元的整个晶圆制造过程，如果没有足够的质量控制和检查，晶圆作为半导体器件的功能仍然会较差。
了解有关制造过程和 由于对质量的高期望，让我们仔细看看硅晶圆中的典型缺陷，这次重点关注发现体微缺陷。
关于它们，您需要了解什么？
“体微缺陷”(BMD) 是一个通常用来指硅中氧沉淀物的术语。 事实上，硅晶格中的许多缺陷都会产生缺陷，而 BMD 可以是任何缺陷，包括氧沉淀物、空隙、夹杂物或滑移线等。 位错可能在晶体生长过程中形成，也可能在晶圆热处理过程中、CMOS 器件制造过程中形成，例如外延层生长和注入退火步骤。
我们的“缺陷宇宙” 通过图表，我们可以帮助可视化这些微小但严重的缺陷，如果不及时检测，这些缺陷可能会毁掉整个芯片，并浪费宝贵的时间和资源。
光散射断层扫描技术是检测大块单晶材料中几十纳米范围缺陷的有效方法。 聚焦的红外激光束照射靠近半导体晶圆劈裂表面的散射体，如沉淀物、位错和堆垛层错。 使用高数值孔径物镜收集垂直散射光，并使用近红外敏感 CCD 相机检测图像。
LST-2500HD 系统 - 具有三重高清功能 - 是我们利用光散射断层扫描进行批量缺陷检测的看法。 高动态范围、高检测速度和高可检测性功能相结合，使其成为当今检测小至 12 nm BMD 的最灵敏工具。
我们的低角度光散射断层扫描解决方案可实现 制造商可以筛选出任何有缺陷的材料，节省宝贵的时间和资源，同时确保只有完美的芯片进入市场，并且不会生产出浪费的产品。
