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在 III-V 化合物的世界中 对于半导体来说，性能早在设备达到最终测试之前就开始了。 无论是为高速电子设备供电、实现高效光源，还是驱动先进的光电探测器，这些材料从最初的加工步骤就需要卓越的晶体质量。 早期检查——在外延、退火或其他关键生长过程之后——在实现这种质量方面发挥着决定性作用。 即使此时引入的细微结构或表面缺陷也可能通过后续层升级，影响器件效率、寿命和总体良率。 这就是为什么现代 III-V 制造依赖于快速、可靠的计量解决方案，能够在缺陷成为代价高昂的问题之前对其进行检测和分类。 了解流程早期出现的内容是构建稳定、高性能设备的第一步。
随着III-V器件结构变得更加复杂，制造商需要 具有快速、可靠的缺陷监控能力的计量解决方案。 光致发光 (PL) 光谱已成为实现此目的最强大的工具之一。
PL 提供了一种非破坏性、直接且高度灵敏的方法来识别整个晶圆上的缺陷，使其成为监测化合物半导体制造中的外延层和衬底的理想选择。
此示例使用 Semilab LumIR-2300 进行测量，揭示了 InP 外延晶圆中的滑移线 - 如果不及早发现，可能会损害器件性能的缺陷。 晶圆级 PL 映射使用高强度照明通过多波长激发来检测滑移线缺陷。 同时，测量反射以区分颗粒和表面特征与真实的晶体缺陷。
光致发光 (PL) 可实现快速、 III-V 族材料的晶圆级表征，以无与伦比的灵敏度和速度揭示滑移线等关键缺陷。 在此基础上，我们推出了 Semilab 的下一代计量解决方案，将这种功能引入器件制造中：LumIR-2300。
LumIR-2300 专为 III-V 器件制造中的早期检测而设计，可提供快速、无损、全晶圆测量，帮助制造商在缺陷影响良率之前发现缺陷。 通过及早识别结构和电子缺陷，该系统可降低生产成本，同时确保先进电子和光电器件所需的高性能和可靠性。
专为 InP、GaAs、InGaAs 和其他化合物半导体材料而设计，LumIR-2300 在紧凑的占地面积内支持高达 150 毫米的晶圆尺寸。 而且，一如既往，它得到了我们公司值得信赖的全球服务和应用支持的支持。
有关更多信息，请阅读此处和联系我们您当地的 Semilab 办事处。