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宽带隙 (WBG) 半导体与传统半导体不同：它们具有更大的带隙，具有显着的优势，例如更高的功率效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总体成本。 氮化镓和碳化硅等复合材料具有一些特殊的优点，能够生产先进、易于使用的功率器件、超高频无线电器件等。 这些案例包括用于消费类应用的充电器和适配器、电动汽车充电、电信、SMPS、太阳能和工业应用的电池化成的电子产品，以及用于汽车应用的车载充电和高压到低压 DC-DC 转换器的电子产品。
化合物半导体实现伟大创新； 然而，他们的计量需要新的解决方案，因为在使用 GaN 和 SiC 时，特定光学和电学特性的测量至关重要。
WBG 行业的快速发展需要能够跟上最新发展的计量解决方案。 为了实现可靠的生产、成分和缺陷、掺杂剂浓度、电学和光学质量，必须定期监测。 Semilab 为此提供了多种产品，利用各种非接触式和非破坏性计量方法，揭示与器件特性或性能直接相关的属性。
我们的顶级系统可以借助多种技术提供有关材料电阻率、薄膜厚度、成分和迁移率的准确计量数据。
例如，MBM-2201 系统的开发目的是为制造商和研究人员提供使用微波反射率的精确非接触式测量。
有关化合物半导体表征和 MBM 产品系列的更多详细信息，请查看我们的信息图并通过以下链接阅读更多内容：