水銀プローブ容量–電圧および電流–電圧によるAlXGa1−XN/GaN高電子移動度トランジスタ構造の評価
著者: Eric Tucker, Frank Ramos, Samuel Frey, Robert J. Hillard, Péter Horváth, Gyula Zsákai, Attila Márton
トピック: dielectric characterization; dielectric charge; MERCURY C-V PROFILING; 2DEG sheet charge; pinch-off voltage; mercury gate
