エピタキシャルシリコンにおける水銀(Hg)プローブショットキー容量-電圧(MCV)測定のための表面処理方法の評価
著者: Cristina Sanna, Patrick Taylor, Robert Hillard, Samuel Frey, Dan McDonald, Jonny Hoglund, Gyula Zsakai, Attila Marton and Peter Horvath
トピック: Epitaxial silicon; mercury probe; surface treatment; MERCURY C-V PROFILING; Capacitance-voltage characteristics; p-type; pre-treatment chamber

