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本研究では、マイクロスケールの時間分解コロナ-ケルビン技術に基づくSiCのドーピング濃度測定への新規アプローチを提案します。この手法では、マイクロサイズのコロナスポット内でSiC表面を空乏状態までコロナ帯電させ、ケルビン力マイクロプローブを使用してスポット中心部の表面電圧減衰を測定します。電圧減衰は、表面拡散による電荷減衰に起因し、プローブ下での電圧-電荷スキャンのアナロジーを生み出します。2D電荷拡散解析を用いて、2つのパラメータ — 1）SiCエピタキシャル層のドーピング濃度、2）SiC表面上のコロナイオンの拡散係数 — を抽出します。本研究で実証されたマイクロスポットコロナ-ケルビン法は、マイクロスケールでのドーピング均一性のテストおよびSiC量産ウェーハの小面積測定に重要であることが示されるでしょう。