改良された非接触CV技術による酸化SiCの正確なドーパントおよび界面特性評価

非接触C-V技術は、ワイドバンドギャップ半導体のための精密でコスト効率と時間効率に優れたメトロロジーとして近年注目を集めています。当初はドーパント測定に焦点を当てていた非接触C-Vは、パワーデバイスの将来にとって重要な複雑な信頼性問題を含む、ワイドバンドギャップの表面および界面特性評価へと適用範囲を拡大しています。本研究では、フラットバンド電圧V_FBおよび静電容量C_FBを決定する新しい直接法を用いて達成された進展を報告します。n型酸化エピタキシャル4H-SiCの実験結果を示します。これらの結果は、界面トラップ密度D_itを含む関連する全電気パラメータセットを生成する独自の自己矛盾のない測定のアプローチを実証しています。