Si(111)サンプルへの光散乱トモグラフィーの応用

チョクラルスキー法で成長させたシリコン（Si）〈100〉ウェーハにおけるバルク微小欠陥の検出は、ウェーハ品質管理において非常に重要です。光散乱トモグラフィー（LST）は、この目的のための業界標準技術です。この光学的非接触メトロロジーは破壊的なサンプル準備を必要とし、サンプルを半分に劈開する必要があります。この方法の特徴の一つは暗視野検出配置であり、光検出部（顕微鏡ユニット）を照明部から分離することで実現されています。照明はサンプルの表面に照射され、欠陥から散乱された光は劈開面を通して集光されます。この技術は、劈開面が表面に対して垂直であることを必要とし、Si(100)ウェーハではこの条件が満たされます。しかし、Si(111)ウェーハの公称劈開面は表面に対して垂直ではなく、70.5°の角度を持っています。この劈開における大きな違いにより、Si(111)ウェーハは標準的なLSTシステムでは測定できません。幸いなことに、標準LSTシステムは検出部を適切な角度に傾けることで改良でき、Si(111)サンプルの測定が可能になります。本稿では、この新技術の設計と測定能力について詳細に紹介します。測定結果は、適切なサンプル準備後の同一サンプルにおける標準LST測定との直接比較により検証されています。