改良型レーザーE-PCD技術を用いた単結晶シリコンインゴットのキャリアライフタイム測定

光伝導度減衰（PCD）法は、シリコンインゴットのキャリアライフタイム評価における標準的な特性評価技術である。我々は、レーザー励起特性の影響に焦点を当て、単色光を用いた渦電流PCD技術の精度を分析した。PCDシミュレーションの結果、測定ライフタイムおよび注入レベルにおける表面再結合の影響が、レーザー励起源の波長およびパルス幅に大きく左右されることが示された。キャリアプロファイルの時間変化も考慮し、1050～1070 nmの最適波長範囲を見出した。オリジナルの980 nmレーザーと最適に近い1064 nmレーザーを用いた渦電流検出PCD（e-PCD）測定を、実験およびシミュレーションにより詳細に比較した。注入非依存ライフタイムモデルでは、実効ライフタイムは妥当な時間内にバルクライフタイムに漸近的に近づき、実験的に確認されたように両レーザー源とも正確な結果を提供する。しかし、キャリアライフタイムが注入レベルにより大きく変動する場合、異なるレーザーを使用して記録された漸近ライフタイム間に顕著な差が観察される。長波長セットアップからのライフタイム値は、この場合でもバルクライフタイムの飽和値に近づく。これは、インゴットPCD測定に長波長レーザーを使用することの重要な追加利点である。レーザーe-PCDの結果をフラッシュランプベースのPCDシステムと比較すると、長ライフタイム領域で良好な相関が見られる。しかし、フラッシュランプPCDシステムの過渡モードと準定常状態（QSS）モード間に見られる顕著な不一致は、測定の実施において