情報と価格についてはお問い合わせください
専門家のアドバイスと研究ニーズに合わせたソリューションを入手してください
SiO2/Si3N4界面にGeナノ結晶を埋め込んだMNOS構造の帯電挙動を、実験およびナノ結晶の有無による構造についての窒化膜層の伝導帯または価電子帯への電子およびホールのトンネリング確率の計算により研究した。ナノ結晶を含まないMNOS構造の最適な帯電挙動は、酸化膜厚2–3 nmで期待できると結論された。SiO2/Si3N4界面における半導体ナノ結晶の存在は、薄い酸化膜層（2–3 nm）を有する構造において低電界で電子およびホールのトンネリング確率を強く増強するが、高電界では構造の帯電挙動に影響を与えない。計算結果は、Geナノ結晶を含むMNOS構造で得られた実験結果と一致している。(© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)