偏光応力イメージャを用いたバルクSi応力とリソグラフィ欠陥の相関研究

偏光応力イメージングは、シリコンウェーハのバルク応力分布を監視するための優れた方法である。本研究では、Semilabの偏光応力イメージャ（PSI）システムを用いたバルクSi応力とリソグラフィ欠陥の相関を示す。300 mm径の7 nmアドバンストノードFinFETデバイスを有する試料を、PSI光学イメージングメトロロジーツールおよびAMAT社のUVisionウェーハ検査ツールで調査した。シャロートレンチアイソレーションエッチング後およびゲートエッチング後の2セットの試料を分析した。応力イメージングが高欠陥率につながるプロセス偏差を検出でき、故障解析において故障の根本原因を特定するのに有用である可能性が示された。