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三次元（3-D）集積回路は、シリコン貫通ビア（TSV）を垂直接続として使用し、複数の二次元集積回路を単一デバイスに積層する。消費電力の削減、抵抗–容量遅延、フォームファクタ、および帯域幅の増大など、3-Dインテグレーションを推進する多くの要因がある。すべての3-Dプロセスにおける重要なプロセスステップの一つは積層であり、ウェーハ対ウェーハ、チップ対ウェーハ、またはチップ対チップボンディングの形態をとり得る。このボンディングは、薄化のためにデバイスウェーハをハンドルウェーハに接着する場合のような仮接合、またはウェーハ間で信号を伝送するための直接金属ボンドやはんだバンプ、および導体のない領域の酸化膜ボンドやアンダーフィルを組み込んだ永久接合であり得る。これらの各プロセスにおいて、層間のボイドの発生を防ぐようにボンディングを実行することが重要である。本稿では、酸化膜対酸化膜永久接合、ベンゾシクロブテン永久接合、または一時接着剤接合積層界面などの光学的に透明なブランケット媒体中に形成され得るマイクロメートルサイズのボイドを検出するための赤外（IR）顕微鏡の能力を記述する。赤外顕微鏡について説明し、接合ボイドウェーハセットからの測定結果を含める。ツールの能力を実証するために使用したウェーハには、さまざまなサイズ、密度および深さのプログラムドボイドが含まれる。IR顕微鏡測定から得られた結果は、ボイドを検出・測定する技術の能力とその限界の一部の概要を示す。