マイクロ波光伝導度減衰測定によるp型シリコン中の低レベル銅汚染の検出

p型シリコンにおける銅の挙動をより深く理解するため、高強度バイアス光を用いたマイクロ波光伝導度減衰測定法（μ PCD）により銅の再結合に関する研究を行った。小さな酸素析出物の存在下で、高強度光が格子間銅の析出を活性化できることが観察された。高強度光が格子間銅の電荷状態を正から中性に変化させ、析出を促進することが示唆される。析出はHamの動力学に従い、非常に低い銅濃度でも検出可能な再結合速度の増加をもたらす。この現象を利用して、μ PCD法により低レベルの銅汚染を検出することができる。さらに、外部コロナ電荷により格子間銅の外方拡散および内方拡散の両方が影響を受けることが観察された。したがって、バルクシリコンからの外方拡散後、銅原子はSi–SiO₂界面で安定した結合を形成しないことが示唆される。

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