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ますます小型化するトランジスタと新しい構造の出現に伴い、さまざまな構造欠陥の検出を含む新たなメトロロジー上の課題も生じている。ミューラー行列（MM）測定はそれらを調査する機会を提供し得る。
欠陥はデバイス性能の劣化を引き起こす可能性があるため、その特性評価は特に重要である。我々の目的は、MM測定を用いた非対称欠陥の検出可能性を調査し、Forksheet電界効果トランジスタ（FET）の場合におけるこれらの構造不完全性の識別可能性を研究することである。
Forksheet FETのプロファイル非対称性のさまざまな程度および方向に対するMM測定のシミュレーション。欠陥により引き起こされる光学応答の識別可能性を定量化するため、非対称パラメータ間の相関を計算した。試料の精密なアライメントが非対称性検出の重要な要因であるため、アライメント不確実性の影響およびそれを除去する方法についても調査した。
MM測定は、プロファイルの曲がりの大きさと方向、および誘電体壁のシフトの両方に対して感度がある。相関係数は、非対称欠陥とアライメント誤差の光学応答を区別できることを示している。後者は本稿で提示された方法により除去することさえ可能である。