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シリコンウェーハ中の金属不純物分布を定量するためのエッチング技術が開発されました。10 mm∅、深さ10 μmの領域を、HFとHNO₃の混合エッチング液100 μLでエッチングしました。酸マトリックスは、赤外線ランプ照射と真空排気によりウェーハ表面上で蒸発させました。ウェーハ表面に残留した金属不純物を回収溶液に再溶解し、電熱原子吸光分析法（ET-AAS）で測定しました。局所エッチング/ET-AASによる回収率は、Fe、CuおよびNiに対して95～112%の範囲でした。シリコン中のFe、CuおよびNiの検出限界（3σ）は1 × 10¹³ atoms/cm³でした。適用性を確認するため、局所エッチングをゲッタリング研究における金属不純物の影響評価および半導体デバイスの電子特性評価に適用しました。局所エッチングは、シリコンウェーハ上の特定領域における金属不純物の分析に有用な試料前処理技術であることが明らかになりました。
