電荷注入によるエミッタパッシベーション

界面領域近傍の深い誘電体トラップへのコロナ制御電荷注入を用いた、エミッタ再結合および飽和電流J₀のエンジニアリングのための新しい手法を発見しました。注入された電荷は、誘電体表面からコロナ電荷が除去された後も界面に残存し、非常に望ましい低エミッタ再結合状態を形成します。この効果は、SiO₂/SiN_xスタックでパッシベーションされたn基板上のp⁺エミッタにおいて実証されました。望ましい電荷注入は、界面SiO₂膜を通じてSiN_xのトラップへの電子トンネリングを引き起こす正コロナ帯電によって生成されます。注入によるパッシベーションには、過去の電界効果パッシベーション研究で使用されたものとは逆のコロナ極性が必要であることに留意すべきです。この新しい現象は、基礎的な理解にとって重要であるだけでなく、エミッタパッシベーション用の誘電体スタックを採用する次世代先進セルにおける電荷制御手段としても有用である可能性があります。