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小信号表面光起電力（SPV）測定技術を、層転写SOIプロセスに典型的なイオン注入のモニタリングに適用しました。このSPVウェーハマッピング技術を、1450Åの表面酸化膜を介した(100)シリコンウェーハへの水素およびヘリウムイオン注入に対するドーズ感度、注入均一性、再現性について調査しました。調査した条件において約1.2の正規化感度が観察されました。水素注入ウェーハで複数日にわたり0.5%未満の1σ標準偏差の再現性が実証されました。提示された小信号SPV計測技術により、SOIウェーハ製造プロセスにおける重要なイオン注入工程のインラインSPC管理が可能になります。