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180nm Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）テクノロジーの重要な要素は、高ベータのPNPバイポーラデバイスの使用です。マクロおよびマイクロフォトルミネッセンスイメージング（MacroPL、μPL）は、高強度照射による半導体中のキャリア励起と、その後の輻射再結合から生じる長波長光子の観測を利用します。バンド間およびバンド-欠陥間の両発光が使用されました。マイクロフォトルミネッセンスイメージングの使用により、PNPベータを低下させる転位やその他の欠陥の迅速な特性評価と是正措置が可能になります。