多層構造の深さプロファイリングの改良法

GaAlAs層を含む半導体材料の溶解のための改良法が開発されました。この改良法は、キャリア濃度測定のためにヒ素を含まない表面を作製するため、陽極プロセスと陰極プロセスを交互に適用するものです。

この手法の利点は、従来技術と改良技術で得られた各種半導体構造の深さプロファイルの比較により実証されています。

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