減衰品質制御を備えた改良型QSS-μPCD測定：定常状態キャリアライフタイムとの相関

定常状態生成に重畳された小摂動条件下で測定される過剰キャリア光伝導減衰ライフタイムは、準定常状態光伝導（QSSPC）に対する魅力的でパラメータフリーな代替手段を提供します。QSS-μPCDと呼ばれるこの技術の最新版は、マイクロ波反射率PCDモニタリングに基づいています。この技術では、広い範囲の定常光強度にわたり単一指数減衰を維持することが極めて重要です。この目標に向けて、厳密な減衰品質制御（QDC）を備えたQSS-μPCDを提示します。減衰品質パラメータQD（理想的にはQD=1）は、理想的な指数過渡からの逸脱の方向と大きさを測定し、QDが1±Δの範囲内（ΔはQDC限界を定義）となる最適な実験変数範囲への調整を可能にします。QDC限界内で、小摂動実効減衰ライフタイムτ_eff.dは、約25 sunsまでの重要なシリコンPVパラメータ（J₀および定常状態ライフタイムτ_eff.ssを含む）の正確な決定を可能にします。2つのJ₀手順を比較します。Basore and Hansen (1990) [2]から採用された巧妙な分析手順は、J₀の直接決定を可能にします。2番目のJ₀手順は、照射強度にわたるτ_eff.dの積分を使用します。結果は自己一貫性があり、Sinton QSSPC結果との優れた相関を示しています。