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先端DRAM量産ウェーハのアクティブキャパシタセル領域におけるZrO2/Al2O3/ZrO2（ZAZ）誘電体スタックで取得したマイクロコロナ-ケルビンデータを提示します。具体的には、パターンウェーハで測定したマイクロSASS（Self Adjusting Steady State）電圧データを、ブランケットZAZ誘電体スタックで同様に取得したデータと比較します。この比較から、アクティブ領域マイクロSASS電圧がZAZ誘電体スタック容量に比例するというモデルを構築しました。手法と付随するモデルの妥当性検証は、各種プロセス偏差に対する感度を実証する量産ベースラインの測定により行われました。さらなる検証は、インラインのアクティブセル領域マイクロSASSデータと、ラインエンドの電気パラメトリック測定の容量および絶縁破壊電圧データとの比較により達成されました。また、アクティブデバイス領域でのコロナ帯電と測定を含むこの手法が、最終デバイス歩留まりに悪影響を与えないことも実証しました。