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先端DRAM量産ウェーハのアクティブキャパシタセル領域におけるZrO2/Al2O3/ZrO2（ZAZ）誘電体スタック上で取得したマイクロコロナ-ケルビンデータを報告します。具体的には、パターンウェーハ上で測定したマイクロSASS（Self Adjusting Steady State）電圧データと、ブランケットZAZ誘電体スタック上で同様に取得したデータを比較します。この比較から、アクティブ領域のマイクロSASS電圧をZAZ誘電体スタック静電容量に比例するものと解釈するモデルを定式化しました。手法および付随するモデルの妥当性は、様々なプロセス偏差に対する感度を実証する量産ベースラインの測定によって検証されました。さらに、インラインのアクティブセル領域マイクロSASSデータとEnd-of-the-Lineの電気パラメトリック測定静電容量および絶縁破壊電圧データとの比較により追加検証を行いました。また、アクティブデバイス領域上でのコロナ帯電と測定を含むこの手法が、最終デバイスの歩留まりに悪影響を与えないことも実証しました。