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0.13 µm以下のテクノロジーに使用される誘電体の特性を測定するための、高感度・高精度・高精密な手法が求められている。ゲート誘電体の電気的特性のモニタリングは特に重要である。薄い誘電体の電気的特性は、新しい非汚染・非損傷弾性プローブにより評価される。このプローブは、誘電体表面上に小径（約30 µm～50 µm）のElastic Metal gate（EM-gate）を形成する。その後の電気測定は、先進的な容量-電圧（CV）、コンダクタンス-電圧（GV）、および電流-電圧（IV）技術で行われる。誘電体の膜厚と品質、リーク電流、Si-SiO2界面品質、およびチャネルキャリア密度プロファイルに関する貴重かつ不可欠な情報が得られる。